Вакуумная печь для выращивания кристаллов DM-CGF100/250
DM-CGF100/250 — установка для выращивания монокристаллов методом направленной кристаллизации при температуре до 1700 °C с точным контролем температурного режима и движения образца.
Основные особенности:
- трубчатая камера с верхним и нижним фланцами;
- вертикальное перемещение образца с сервоприводом;
- независимый контроль температуры;
- двухзонный контроль температуры (камера и образец);
- плавная регулировка скорости движения;
- возможность работы в вакууме и газовой среде;
- герметизация подвижных узлов.
Доступно для предзаказа
Характеристики
| Максимальная температура | до 1700 °C |
|---|---|
| Рабочая температура | до 1650 °C |
| Точость контроля температуры | ±1 °C |
| Скорость нагрева | до 250 мм (зона нагрева) |
| Рабочий вакуум | до 10 Па |
| Диаметр трубки | Ø100 мм |
| Длина трубки | до 800 мм |
| Скорость перемещения | медленная: 0,1—10 мм/ч быстрая: 50—200 мм/мин |
| Точность перемещения | 0,01 мм |
| Ход центральной оси | ≥200 мм |
| Нагрузка | до 5 кг |
| Элеткропитание | 220 В, 50 Гц |
| Мощность | до 10 кВт |
Описание
DM-CGF100/250 — вакуумная печь с трубчатой камерой, предназначенная для выращивания монокристаллов и исследований кристаллизационных процессов. Оборудование обеспечивает стабильные температурные условия, контролируемую атмосферу и точное перемещение образца, что важно для получения однородной структуры материала.
Система включает нагревательную камеру, вакуумный тракт и сервоприводный механизм перемещения, позволяющий управлять скоростью кристаллизации и температурным градиентом.
Сфера применения: выращивание монокристаллов; материаловедение и НИОКР; полупроводниковая промышленность; исследование новых функциональных материалов; лаборатории физики и химии твердого тела.
Ключевые преимущества модели:
- температура до 1700 °C — подходит для большинства задач кристаллизации;
- точный контроль температуры (±1 °C) — стабильность и воспроизводимость процессов;
- управляемое перемещение образца — контроль скорости роста кристаллов;
- герметичная трубчатая камера — работа в контролируемой атмосфере;
- сервоприводная система — высокая точность позиционирования;
- высокотемпературные нагреватели MoSi₂ — увеличенный ресурс и стабильность нагрева;
- вакуумная система — снижение содержания кислорода и чистота процесса;
- программируемое управление — настройка режимов под конкретные задачи.
Характеристики
| Максимальная температура | до 1700 °C |
|---|---|
| Рабочая температура | до 1650 °C |
| Точость контроля температуры | ±1 °C |
| Скорость нагрева | до 250 мм (зона нагрева) |
| Рабочий вакуум | до 10 Па |
| Диаметр трубки | Ø100 мм |
| Длина трубки | до 800 мм |
| Скорость перемещения | медленная: 0,1—10 мм/ч быстрая: 50—200 мм/мин |
| Точность перемещения | 0,01 мм |
| Ход центральной оси | ≥200 мм |
| Нагрузка | до 5 кг |
| Элеткропитание | 220 В, 50 Гц |
| Мощность | до 10 кВт |
Описание
DM-CGF100/250 — вакуумная печь с трубчатой камерой, предназначенная для выращивания монокристаллов и исследований кристаллизационных процессов. Оборудование обеспечивает стабильные температурные условия, контролируемую атмосферу и точное перемещение образца, что важно для получения однородной структуры материала.
Система включает нагревательную камеру, вакуумный тракт и сервоприводный механизм перемещения, позволяющий управлять скоростью кристаллизации и температурным градиентом.
Сфера применения: выращивание монокристаллов; материаловедение и НИОКР; полупроводниковая промышленность; исследование новых функциональных материалов; лаборатории физики и химии твердого тела.
Ключевые преимущества модели:
- температура до 1700 °C — подходит для большинства задач кристаллизации;
- точный контроль температуры (±1 °C) — стабильность и воспроизводимость процессов;
- управляемое перемещение образца — контроль скорости роста кристаллов;
- герметичная трубчатая камера — работа в контролируемой атмосфере;
- сервоприводная система — высокая точность позиционирования;
- высокотемпературные нагреватели MoSi₂ — увеличенный ресурс и стабильность нагрева;
- вакуумная система — снижение содержания кислорода и чистота процесса;
- программируемое управление — настройка режимов под конкретные задачи.
