Вакуумная печь для выращивания кристаллов DM-CGF100/250

Производитель: Henan Dming Technology Co., Ltd

DM-CGF100/250 — установка для выращивания монокристаллов методом направленной кристаллизации при температуре до 1700 °C с точным контролем температурного режима и движения образца.

Основные особенности:

  • трубчатая камера с верхним и нижним фланцами;
  • вертикальное перемещение образца с сервоприводом;
  • независимый контроль температуры;
  • двухзонный контроль температуры (камера и образец);
  • плавная регулировка скорости движения;
  • возможность работы в вакууме и газовой среде;
  • герметизация подвижных узлов.

Доступно для предзаказа

Характеристики

Максимальная температурадо 1700 °C
Рабочая температурадо 1650 °C
Точость контроля температуры±1 °C
Скорость нагревадо 250 мм (зона нагрева)
Рабочий вакуумдо 10 Па
Диаметр трубкиØ100 мм
Длина трубкидо 800 мм
Скорость перемещениямедленная: 0,1—10 мм/ч быстрая: 50—200 мм/мин
Точность перемещения0,01 мм
Ход центральной оси≥200 мм
Нагрузкадо 5 кг
Элеткропитание220 В, 50 Гц
Мощностьдо 10 кВт

Описание

DM-CGF100/250 — вакуумная печь с трубчатой камерой, предназначенная для выращивания монокристаллов и исследований кристаллизационных процессов. Оборудование обеспечивает стабильные температурные условия, контролируемую атмосферу и точное перемещение образца, что важно для получения однородной структуры материала.

Система включает нагревательную камеру, вакуумный тракт и сервоприводный механизм перемещения, позволяющий управлять скоростью кристаллизации и температурным градиентом.

Сфера применения: выращивание монокристаллов; материаловедение и НИОКР; полупроводниковая промышленность; исследование новых функциональных материалов; лаборатории физики и химии твердого тела.

Ключевые преимущества модели:

  • температура до 1700 °C — подходит для большинства задач кристаллизации;
  • точный контроль температуры (±1 °C) — стабильность и воспроизводимость процессов;
  • управляемое перемещение образца — контроль скорости роста кристаллов;
  • герметичная трубчатая камера — работа в контролируемой атмосфере;
  • сервоприводная система — высокая точность позиционирования;
  • высокотемпературные нагреватели MoSi₂ — увеличенный ресурс и стабильность нагрева;
  • вакуумная система — снижение содержания кислорода и чистота процесса;
  • программируемое управление — настройка режимов под конкретные задачи.

Характеристики

Максимальная температурадо 1700 °C
Рабочая температурадо 1650 °C
Точость контроля температуры±1 °C
Скорость нагревадо 250 мм (зона нагрева)
Рабочий вакуумдо 10 Па
Диаметр трубкиØ100 мм
Длина трубкидо 800 мм
Скорость перемещениямедленная: 0,1—10 мм/ч быстрая: 50—200 мм/мин
Точность перемещения0,01 мм
Ход центральной оси≥200 мм
Нагрузкадо 5 кг
Элеткропитание220 В, 50 Гц
Мощностьдо 10 кВт

Описание

DM-CGF100/250 — вакуумная печь с трубчатой камерой, предназначенная для выращивания монокристаллов и исследований кристаллизационных процессов. Оборудование обеспечивает стабильные температурные условия, контролируемую атмосферу и точное перемещение образца, что важно для получения однородной структуры материала.

Система включает нагревательную камеру, вакуумный тракт и сервоприводный механизм перемещения, позволяющий управлять скоростью кристаллизации и температурным градиентом.

Сфера применения: выращивание монокристаллов; материаловедение и НИОКР; полупроводниковая промышленность; исследование новых функциональных материалов; лаборатории физики и химии твердого тела.

Ключевые преимущества модели:

  • температура до 1700 °C — подходит для большинства задач кристаллизации;
  • точный контроль температуры (±1 °C) — стабильность и воспроизводимость процессов;
  • управляемое перемещение образца — контроль скорости роста кристаллов;
  • герметичная трубчатая камера — работа в контролируемой атмосфере;
  • сервоприводная система — высокая точность позиционирования;
  • высокотемпературные нагреватели MoSi₂ — увеличенный ресурс и стабильность нагрева;
  • вакуумная система — снижение содержания кислорода и чистота процесса;
  • программируемое управление — настройка режимов под конкретные задачи.