Вакуумная печь для выращивания кристаллов по методу Чохральского DM-CGF-1010
DM-CGF-1010 — высокотемпературная вакуумная печь для выращивания кристаллов методом Чохральского, проведения исследований процессов кристаллизации, а также спекания, отжига и других видов термической обработки.
Основные особенности:
- двухстенная водоохлаждаемая камера и дверь из нержавеющей стали 304;
- нагрев графитово-углеродными трубками;
- теплоизоляционная система на основе высокочистых графитовых материалов;
- инфракрасное измерение температуры с программируемым контроллером;
- сервоприводной механизм вертикального перемещения тигля;
- регулируемое вращение подъемной штанги;
- вакуумная система с механическим и турбомолекулярным насосами;
- управление на базе ПЛК с сенсорным экраном.
Доступно для предзаказа
Доступно для предзаказа
Характеристики
| Общая мощность оборудования | ≤ 35 кВт |
|---|---|
| Напряжение питания | 380 В 3 фазы, 50 Гц |
| Максимальная температура | 2100 °C |
| Рабочая температура | ≤ 2000 °C |
| Мощность нагрева | ≤ 25 кВт (2 фазы 380 В, нагрев графитово-углеродными трубками) |
| Размеры рабочей зоны | Ø 100×100 мм |
| Размер тигля | Ø 90×80 мм |
| Размер камеры | Ø 400×700 мм |
| Скорость медленного подъема | 0,1—10 мм/ч |
| Скорость вращения подъемной штанги | 0,1—25 об/мин |
| Скорость быстрого подъема/опускания штанги | ≤ 35 мм/мин |
| Ход подъема | ≤ 300 мм |
| Давление заполнения печи | ≤ 0,03 МПа |
| Предельный вакуум в холодном состоянии | ≤ 6,7×10⁻⁴ Па |
Описание
DM-CGF-1010 предназначена прежде всего для научных исследований процессов выращивания кристаллов. Оборудование применяется для получения кристаллов фторидов и ниобатов, монокристаллов оксидов и LGS, пьезоэлектрических материалов семейства лангазитов, сегнетоэлектриков и других материалов.
Механизм выращивания обеспечивает управляемое вертикальное перемещение и вращение тигля. Температура контролируется инфракрасной системой измерения, расположенной сбоку от зоны нагрева. Вакуумная система включает механический и турбомолекулярный насосы, запорную арматуру и средства контроля вакуума.
Система управления позволяет сохранять технологические рецепты, регистрировать температуру и уровень вакуума
в режиме реального времени, отображать технологические кривые и сохранять данные для последующего анализа. Предусмотрена система водяного охлаждения с контролем состояния и аварийным отключением электропитания
при нарушении охлаждения.
Сфера применения: выращивание монокристаллов; исследования процессов кристаллизации; материаловедение; светотехническая промышленность; исследования фотоэлектрических материалов; пьезоэлектрические
и сегнетоэлектрические материалы; спекание; отжиг; высокотемпературная термическая обработка.
Ключевые преимущества модели:
- готовая высоковакуумная конструкция — механические и турбомолекулярные насосы входят в состав системы и не требуют отдельного подбора;
- воспроизводимость технологических режимов — сохранение рецептов и сохранение температуры и вакуума упрощают повторение экспериментов;
- защита при нарушении охлаждения — система автоматически отключает питание при собственном водяном охлаждении;
- универсальность применения — установка подходит для выращивания монокристаллов, спекания, отжига и других видов высокотемпературной обработки.
Характеристики
| Общая мощность оборудования | ≤ 35 кВт |
|---|---|
| Напряжение питания | 380 В 3 фазы, 50 Гц |
| Максимальная температура | 2100 °C |
| Рабочая температура | ≤ 2000 °C |
| Мощность нагрева | ≤ 25 кВт (2 фазы 380 В, нагрев графитово-углеродными трубками) |
| Размеры рабочей зоны | Ø 100×100 мм |
| Размер тигля | Ø 90×80 мм |
| Размер камеры | Ø 400×700 мм |
| Скорость медленного подъема | 0,1—10 мм/ч |
| Скорость вращения подъемной штанги | 0,1—25 об/мин |
| Скорость быстрого подъема/опускания штанги | ≤ 35 мм/мин |
| Ход подъема | ≤ 300 мм |
| Давление заполнения печи | ≤ 0,03 МПа |
| Предельный вакуум в холодном состоянии | ≤ 6,7×10⁻⁴ Па |
Описание
DM-CGF-1010 предназначена прежде всего для научных исследований процессов выращивания кристаллов. Оборудование применяется для получения кристаллов фторидов и ниобатов, монокристаллов оксидов и LGS, пьезоэлектрических материалов семейства лангазитов, сегнетоэлектриков и других материалов.
Механизм выращивания обеспечивает управляемое вертикальное перемещение и вращение тигля. Температура контролируется инфракрасной системой измерения, расположенной сбоку от зоны нагрева. Вакуумная система включает механический и турбомолекулярный насосы, запорную арматуру и средства контроля вакуума.
Система управления позволяет сохранять технологические рецепты, регистрировать температуру и уровень вакуума
в режиме реального времени, отображать технологические кривые и сохранять данные для последующего анализа. Предусмотрена система водяного охлаждения с контролем состояния и аварийным отключением электропитания
при нарушении охлаждения.
Сфера применения: выращивание монокристаллов; исследования процессов кристаллизации; материаловедение; светотехническая промышленность; исследования фотоэлектрических материалов; пьезоэлектрические
и сегнетоэлектрические материалы; спекание; отжиг; высокотемпературная термическая обработка.
Ключевые преимущества модели:
- готовая высоковакуумная конструкция — механические и турбомолекулярные насосы входят в состав системы и не требуют отдельного подбора;
- воспроизводимость технологических режимов — сохранение рецептов и сохранение температуры и вакуума упрощают повторение экспериментов;
- защита при нарушении охлаждения — система автоматически отключает питание при собственном водяном охлаждении;
- универсальность применения — установка подходит для выращивания монокристаллов, спекания, отжига и других видов высокотемпературной обработки.
