Вакуумная печь для выращивания кристаллов по методу Чохральского DM-CGF-1010

Производитель: Henan Dming Technology Co., Ltd

DM-CGF-1010 — высокотемпературная вакуумная печь для выращивания кристаллов методом Чохральского, проведения исследований процессов кристаллизации, а также спекания, отжига и других видов термической обработки.

Основные особенности:

  • двухстенная водоохлаждаемая камера и дверь из нержавеющей стали 304;
  • нагрев графитово-углеродными трубками;
  • теплоизоляционная система на основе высокочистых графитовых материалов;
  • инфракрасное измерение температуры с программируемым контроллером;
  • сервоприводной механизм вертикального перемещения тигля;
  • регулируемое вращение подъемной штанги;
  • вакуумная система с механическим и турбомолекулярным насосами;
  • управление на базе ПЛК с сенсорным экраном.

Доступно для предзаказа

Доступно для предзаказа

Характеристики

Общая мощность оборудования≤ 35 кВт
Напряжение питания380 В 3 фазы, 50 Гц
Максимальная температура2100 °C
Рабочая температура≤ 2000 °C
Мощность нагрева≤ 25 кВт (2 фазы 380 В, нагрев графитово-углеродными трубками)
Размеры рабочей зоныØ 100×100 мм
Размер тигляØ 90×80 мм
Размер камерыØ 400×700 мм
Скорость медленного подъема0,1—10 мм/ч
Скорость вращения подъемной штанги0,1—25 об/мин
Скорость быстрого подъема/опускания штанги≤ 35 мм/мин
Ход подъема≤ 300 мм
Давление заполнения печи≤ 0,03 МПа
Предельный вакуум в холодном состоянии≤ 6,7×10⁻⁴ Па

Описание

DM-CGF-1010 предназначена прежде всего для научных исследований процессов выращивания кристаллов. Оборудование применяется для получения кристаллов фторидов и ниобатов, монокристаллов оксидов и LGS, пьезоэлектрических материалов семейства лангазитов, сегнетоэлектриков и других материалов.

Механизм выращивания обеспечивает управляемое вертикальное перемещение и вращение тигля. Температура контролируется инфракрасной системой измерения, расположенной сбоку от зоны нагрева. Вакуумная система включает механический и турбомолекулярный насосы, запорную арматуру и средства контроля вакуума.

Система управления позволяет сохранять технологические рецепты, регистрировать температуру и уровень вакуума
в режиме реального времени, отображать технологические кривые и сохранять данные для последующего анализа. Предусмотрена система водяного охлаждения с контролем состояния и аварийным отключением электропитания
при нарушении охлаждения.

Сфера применения: выращивание монокристаллов; исследования процессов кристаллизации; материаловедение; светотехническая промышленность; исследования фотоэлектрических материалов; пьезоэлектрические
и сегнетоэлектрические материалы; спекание; отжиг; высокотемпературная термическая обработка.

Ключевые преимущества модели:

  • готовая высоковакуумная конструкция — механические и турбомолекулярные насосы входят в состав системы и не требуют отдельного подбора;
  • воспроизводимость технологических режимов — сохранение рецептов и сохранение температуры и вакуума упрощают повторение экспериментов;
  • защита при нарушении охлаждения — система автоматически отключает питание при собственном водяном охлаждении;
  • универсальность применения — установка подходит для выращивания монокристаллов, спекания, отжига и других видов высокотемпературной обработки.

Характеристики

Общая мощность оборудования≤ 35 кВт
Напряжение питания380 В 3 фазы, 50 Гц
Максимальная температура2100 °C
Рабочая температура≤ 2000 °C
Мощность нагрева≤ 25 кВт (2 фазы 380 В, нагрев графитово-углеродными трубками)
Размеры рабочей зоныØ 100×100 мм
Размер тигляØ 90×80 мм
Размер камерыØ 400×700 мм
Скорость медленного подъема0,1—10 мм/ч
Скорость вращения подъемной штанги0,1—25 об/мин
Скорость быстрого подъема/опускания штанги≤ 35 мм/мин
Ход подъема≤ 300 мм
Давление заполнения печи≤ 0,03 МПа
Предельный вакуум в холодном состоянии≤ 6,7×10⁻⁴ Па

Описание

DM-CGF-1010 предназначена прежде всего для научных исследований процессов выращивания кристаллов. Оборудование применяется для получения кристаллов фторидов и ниобатов, монокристаллов оксидов и LGS, пьезоэлектрических материалов семейства лангазитов, сегнетоэлектриков и других материалов.

Механизм выращивания обеспечивает управляемое вертикальное перемещение и вращение тигля. Температура контролируется инфракрасной системой измерения, расположенной сбоку от зоны нагрева. Вакуумная система включает механический и турбомолекулярный насосы, запорную арматуру и средства контроля вакуума.

Система управления позволяет сохранять технологические рецепты, регистрировать температуру и уровень вакуума
в режиме реального времени, отображать технологические кривые и сохранять данные для последующего анализа. Предусмотрена система водяного охлаждения с контролем состояния и аварийным отключением электропитания
при нарушении охлаждения.

Сфера применения: выращивание монокристаллов; исследования процессов кристаллизации; материаловедение; светотехническая промышленность; исследования фотоэлектрических материалов; пьезоэлектрические
и сегнетоэлектрические материалы; спекание; отжиг; высокотемпературная термическая обработка.

Ключевые преимущества модели:

  • готовая высоковакуумная конструкция — механические и турбомолекулярные насосы входят в состав системы и не требуют отдельного подбора;
  • воспроизводимость технологических режимов — сохранение рецептов и сохранение температуры и вакуума упрощают повторение экспериментов;
  • защита при нарушении охлаждения — система автоматически отключает питание при собственном водяном охлаждении;
  • универсальность применения — установка подходит для выращивания монокристаллов, спекания, отжига и других видов высокотемпературной обработки.